摘要：μPD3575D是NEC公司生产的一种高灵敏度、低暗电流、1024像元的内置采样保持电路和放大电路的线阵CCD图像传感器。文章介绍了μPD3575D的主要特点、结构原理、引脚功能、光学/电子特性、驱动时序以及驱动电路。
关键词：μPD3575D CCD 驱动脉冲 图像传感器
1 概述
μPD3575D是NEC公司生产的一种高灵敏度、低暗电流、1024像元的内置采样保持电路和放大电路的线阵CCD图像传感器。该传感器可用于传真、 图像扫描和OCR。它内部包含一列1024像元的光敏二极管和两列525位CCD电荷转移寄存器。该器件可工作在5V驱动（脉冲）和12V电源条件下。
μPD3575D的主要特性如下：
*像敏单元数目：1024像元；
*像敏单元大小：14μm×14μm×14μm(相邻像元中心距为14μm)；
*光敏区域：采用高灵敏度和低暗电流PN结作为光敏单元；
*时钟：二相（5V）；
*内部电路：采样保持电路，输出放大电路；
*封装形式：20脚DIP封装。
2 内部原理和引脚功能
μPD3575D的封装形式为20脚DIP封装，其引脚排列如图1所示，引脚功能如表1所列。图2为μPD3575D的内部结构原理图，中间一排是由多个光敏二极管构成的光敏阵列，有效单元为1024位，它们的作用是接收照射到CCD硅片的光，并将之转化成电荷信号，光敏阵列的两侧为转移栅和模拟寄存器。在传输门时钟φTG的作用下，像元的光电信号分别转移到两侧的CCD转移栅。然后CCD的MOS电容中的电荷信号在φIO的作用下串行从输出端口输出。上述驱动脉冲由专门的驱动电路产生。
表1 μPD3575D的引脚功能
引脚名
功 能
IO
时钟
TG
转移时钟
RO
复位时钟
SHO
采样保持时钟
G1
测试端
G2
测试端
ID
测试端
OV
测试端
VOUT
信号输出
RD
复位漏极电压
OD
输出漏极电压
VGC
电源电压
GND
地
NC
未连接
3 光电特性参数
μPD3575D的光学/电子特性参数如表2所列。表中的工作条件为：温度在25℃左右，工作电压VOD=VRD=VGC=12V，频率fSHO为0.5MHz,tint(积分时间)=10ms，光源为2856K的钨丝灯。
表2 光/电子特性参数
特 性
符 号
最小值
典型值
最大值
单 位
注 释
饱和输出电压
VOUT
1.5
2.3
-
V
饱和曝光量
SE
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