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Z-半导体敏感元件原理与应用一 |
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作者：admin 2007-1-30 11:45:04 |
摘要：本文重点介绍光敏Z-元件、磁敏Z-元件的特性、典型应用电路、设计方法和应用示例，供广大用户利用光、磁敏Z-元件进行应用开发时参考。
关健词：Z-元件、光敏Z-元件、磁敏Z-元件、传感器
一、 前言
光敏Z-元件是Z-半导体敏感元件产品系列中[3]重要品种之一。它具有与温敏Z-元件相似的伏安特性，该元件也具有应用电路极其简单、体积小、输出幅值大、灵敏度高、功耗低、抗干扰能力强等特点。能提供模拟、开关和脉冲频率三种输出信号供用户选择。用它开发出的三端数字传感器，不需要前置放大器、A/D或V/F变换器，就能与计算机直接通讯。该元件的技术参数符合QJ/HN002-1998的有关规定。
磁敏Z-元件是Z-半导体敏感元件产品系列中[3]第三个重要品种。它具有与温敏Z-元件相似的伏安特性，该元件体积小，应用电路极其简单，在磁场的作用下，能输出模拟信号、开关信号和脉冲频率信号，而且输出信号的幅值大、灵敏度高、抗干扰能力强。
光敏、磁敏Z-元件及其三端数字传感器，通过光、磁的作用，可实现对物理参数的测量、控制与报警。
二、 光敏Z-元件及其技术参数
图1 电路符号与伏安特性
1． 光敏Z-元件的结构、电路符号及命名方法
光敏Z-元件是一种经过重掺杂而形成的特种PN结，是一种正、反向伏安特性不对称的两端有源元件。
表1、光敏Z-元件的分档代号与技术参数
名称
符号
单位
阈值电压分档代号
测试条件
T=20°C或25°C
10
20
30
31
阈值电压
Vth
V
<10
10~20
20~30
>30
RL=5kW
阈值电流
Ith
mA
£1
£15
£2
£3
RL=5kW
导通电压
Vf
V
£5
£10
£15
£20
RL=5kW
反向电流
IR
mA
£45
£45
£45
£45
E=25V
允许功耗
PM
mW
100
100
100
100
转换时间
t
ms
20
20
20
20
阈值灵敏度
Sth
mV/100lx
-80
-120
-150
-200
RL=5kW
阈值灵敏度温漂
DTth
%/100lx×°C×FS
>-4
RL=5kW
M1区灵敏度
SM1
mV/100 lx
200
250
300
350
RL=Vth/Ith
M1区灵敏度温漂
DTM1
%/100 lx×°C×FS&nb[1] [2] [3] 下一页 |
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